В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигна-лов. Рассмотрены процессы происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs приме-няемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетеро-структурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам уже знакомым с твердотельными устройствами.