Электронная библиотека
ВГАУ

     
     

Детальная информация

Шалимова, К. В. Физика полупроводников [Электронный ресурс] / К. В. Шалимова. — 4-е изд., стер. — Санкт-Петербург: Лань, 2022 — 384 с. — Книга из коллекции Лань - Физика. — <URL:https://e.lanbook.com/book/210524>. — <URL:https://e.lanbook.com/img/cover/book/210524.jpg>.

Дата создания записи: 19.01.2023

Тематика: высшее образование; полупроводники; физика полупроводников; учебники; учебные издания; атом; бриллюэн; бриллюэна зоны; ганна; ганна эффект; генерация; гетеропереход; дембера эффект; диод; диод туннельный; диффузия; диффузия (исследования); дрейф; дырка; заряд; зонная; зонная теория полупроводников; излучение; ионизация; ионизация ударная; квазиимпульс; колебание; колебания атомов кристаллической решетки; контакт; кристаллическая; люминесценция; люминесценция полупроводников; носитель; отражение; поглощение; полупроводник некристаллический; полупроводниковая электроника; примесные; примесный; рассеяние электронов; резонанс; резонанс циклотронный; рекомбинация; рекомбинация электронов; релаксация; решетка; решетки кристаллические (физика); спектр; теория; теория колебаний; теория электропроводности; теплоемкость кристаллической решетки; ток; туннельный; ударная; ударная ионизация; уровень; учебник и пособие; физика полупроводников (основы); фонон; фотопроводимость; фотоэлектроника; фотоэффект; холла; холла эффект; циклотронный; шоттки; шредингера; шредингера уравнение; экситонный; электрон; электроны; электропроводность; электропроводность (измерения); электропроводность полупроводников; эффект; эффект магниторезистивный; эффект туннельный

УДК: 621.315.592(075)

ББК: 22.379я73

Коллекции: ЭБС "Лань"

Разрешенные действия:

book/210524 Открыть
img/cover/book/210524.jpg Открыть

Аннотация

В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.

Статистика использования документа

book/210524

stat Количество обращений: 5
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика

img/cover/book/210524.jpg

stat Количество обращений: 10
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика